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安徽譜純氣體科技有限公司
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四氟化碳物理性質 :
熔點-183.6℃，
分子式是CF4，
沸點-128.1℃，
液體密度(-130℃)1.613g/cm3，高純四氟化碳，
液體折光率(-173℃)1.515，
固體轉變點72.2K，
臨界溫度-45.67℃，四氟化碳，
臨界壓力3.73MPa，
蒸氣壓（-150.7℃）13.33kPa
介電常數（25℃，0.5MPa）1.0006
臨界密度：7.1dm3/mol
標準摩爾自由能：-929.84 kJ/mol
標準摩爾生成自由能：-887.41 kJ/mol
危險性類別：第2.2類不燃氣體
隨著芯片制程向7納米邁進，細微雜質對芯片的損害更為明顯，電子產業對高純電子氣體的純度要求進一步提高，四氟化碳公司，在此背景下，我國高純四氟化碳生產技術與產品質量仍有提升空間。四氟化碳貯存注意事項：氣瓶使用和檢驗遵照《氣瓶安全監察規程》的規定。氣瓶內的氣體不能全部用盡，應該留不小于0.04MPa剩余壓力。我國人工智能、物聯網市場仍在不斷擴大，光伏發電累計裝機容量不斷上升，預計2020-2025年，我國高純四氟化碳市場需求將繼續以10.0%以上的增速增長。
四氟化碳的密度比較高，可以填滿地面空間范圍，在不通風的地方會導致窒息。四氟化碳成品應存放在陰涼，干燥，通風的庫房內，嚴禁曝曬，遠離熱源。四氟化碳是可作為氟和自由基氟化碳的來源，用于各種晶片蝕刻工藝。四氟化碳和氧結合用以蝕刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。四氟化碳是目前微電子工業中用量大的等離子蝕刻氣體，其高純氣及四氟化碳高純氣配高純氧氣的混合體，可廣泛應用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及鎢薄膜材料的蝕刻。
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第8年
